英特尔计划从明年开始把0.09微米技术应用于高速微处理器、闪存、和其他一些芯片的生产中。英特尔现在已经成功的制造出基于0.09微米技术的原型产品和SRAM(静态存储器)芯片。0.09微米工艺制造的SRAM芯片,每一个面积单位可以包含6个晶体管,52Mbit将包含了3.3亿个晶体管,而且它的面积将比0.13微米的面积缩小一倍。这对英特尔提高处理器的Caches容量和速度益处非浅,其性能会比现在更高,功耗会比现在更低。
Process Name P854 P856 P858 Px60 P1262 P1264
1st Production 1995 1997 1999 2001 2003 2005
Lithography 0.35 0.25 0.18 0.13 0.09 0.065
Gate Length 0.35 0.20 0.13 <0.07 <0.05 <0.035
英特尔的Pentium 4 "Prescott"处理器将会使用0.09微米制造工艺。在同样面积的300mm直径圆晶硅上,它将会比现在0.13微米工艺的产量提高一倍。每一个晶片将能包含1200亿个晶体管。